4月27日，武汉市一季度经济形势分析会在东湖高新区现场举行。会前，湖北省委常委、武汉市委书记郭元强与市委副书记、市长程用文带队来到长飞先进武汉基地项目现场进行调研，了解项目相关发展近况及武汉新城建设推进情况。调研现场，长飞光纤执行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹首先向郭元强书记一行详细介绍了长飞先进武汉基地自立项以来的建设情况及未来科技创新目标。他表示，长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，项目总投资预计超过200亿元，该项目建成后，将促进设备、材料、设计、制造、封装、测试等产业链上下游通力合作，吸引世界级碳化硅半导体高端人才来武汉就业创业，助力形成创新活跃、要素齐全、开放协同的产业生态。 
当前，作为第三代化合物半导体的典型代表，碳化硅凭借高禁带宽度、高饱和电子迁移速度、高工作温度及高热导率等特点，正逐步成为汽车、充电设备、便携式电源等多个领域的“新宠”。尤其是新能源汽车领域，碳化硅已成为800V电压平台下功率器件的首要选择，正逐步替代传统硅基 IGBT。
为此，长飞先进自成立以来始终聚焦于碳化硅功率半导体产品研发及制造，并于2022年前瞻性规划武汉基地的建设。项目一期预计今年6月封顶，明年上半年形成产能，建成后将位居国内碳化硅产能前列，推动国内碳化硅产业快速发展。
郭元强书记详细了解了长飞先进武汉基地发展情况，察看项目建设进度。他强调，要用心用情服务企业，帮助企业排忧解难，支持企业充分发挥科技创新主体作用，持续巩固拓展东湖高新区在光电子信息产业领域独树一帜优势；要加强重大项目招引和推进建设，不断增强城市功能品质，加快促进产业集群集聚，推动武汉新城建设尽快成势见效。
作为武汉新城诞生的第一个项目，武汉基地自2023年9月正式破土动工以来，在政府及有关单位大力支持下，正在快速、高效地不断朝前推进。面向未来，长飞先进也将不负重托，坚持创新驱动发展，为将武汉新城打造成全国碳化硅创新高地做出积极贡献，为经济社会高质量发展提供新动能。
