自研产品
以碳化硅为代表的第三代半导体材料，具有电子饱和速率高、禁带宽度大、击穿场强高、热导率高等特点。与第一代硅器件相比，碳化硅器件具有开关损耗小、工作结温高、导热能力强等优势。因此，采用碳化硅器件的电力电子变换器，可以显著提高工作开关频率，减小储能、滤波器和散热器的体积，实现更高的系统效率和功率密度。长飞先进拥有完备的碳化硅系列产品，包括分立式SiC肖特基二极管（SBD）、分立式SiC MOSFET、SiC 功率模块、SiC MOSFET裸芯片、SiC 肖特基二极管裸芯片，能涵盖电动汽车，工业电源、光伏逆变器、储能系统、风力发电、轨道交通、柔性输电等领域。
