长飞先进拥有先进的SiC晶圆工艺生产和检测设备，完善的工艺流程和完整的工艺平台，涵盖SiC外延和器件，
能够提供全面的工艺开发与技术解决方案，同时可以根据客户的需求，提供一站式代工流片服务。
| MOSFET Type | Typical Parameter |
|---|---|
| MOSFET(1200V/15mΩ) | IDSS~5μA、IGSS~10nA、Vth 2.5~3V、Vsd 3.8~4.2V、BVDSS~1500V |
| Machine | Key Parameter |
|---|---|
| Photography | i-line, overlay accuracy 40 nm , resolution 0.35μm. |
| High Temperature Implantation | Dopant Al/N/P/B/BF2， Energy 10Kev~3.6Mev |
| High Temperature Anneal | Gas：Ar、N2，Max Temperature 1900℃ |
| Oxidation | Gas: O2/N2/H2/NO2/NO/Ar，Temperature 700℃~1500℃ |
| Rapid Thermal Anneal | Gas: Ar、N2，Max Temperature 1200℃ |
| Defect Scan | Epitaxy，resolution 0.2μm，Visible Light， Photoluminescence In-line，resolution 0.1μm，Visible Light，Photoluminescence |
| Metrology | CD-SEM、OCD、SEM view & FIB、Ellipsometer、AFM、Alpha Stepper、FTIR |
| Electric Test | Prober(wafer thickness 100μm、175℃)、Tester(Max BV 10000V)、WLBI、KGD |
| Process | Key Parameter |
|---|---|
| Photography | Min CD 0.35μm、Max PI thickness 13μm |
| Oxide Etch | Min CD 0.35μm、Profile ~90̊̊̊ |
| Poly Etch | Min CD 0.35μm、Profile ~90̊̊̊、Selectivity Poly/Oxide=25/1 |
| Metal Etch | Al/Cu 5μm、Spacing 5μm、Profile 70~90̊ |
| Gate Oxide | HTGB Pass、TDDB Pass、Mobility~22cm²/Vs、Dit~3E11cm-2eV-1 |
| Ohmic Contact | P-Contact Resistance 8E-3 Ω.cm-2、N-Contact Resistance 5E-5Ω.cm-2 |
| Thinning | Thickness 150μm、Laser Anneal、Contact Resistance~6E-4Ω.cm-2 |
| SiC Trench | Min CD 0.8μm、Depth 2μm、No Micro Trench |
