大尺寸：大尺寸碳化硅外延片可利用面积大，成本更低，可实现降本增效的需求，4英寸和6英寸外延片会慢慢向8英寸迭代，大尺寸外延片的占比会逐年递增；
厚膜：外延层厚度越大，器件耐压能力越强，可满足高耐压器件的需求，厚膜外延也是未来重点研究的方向。
| 项目 | N-type SiC外延规格 | 典型值 | 项目 | N-type SiC外延规格 | 典型值 |
|---|---|---|---|---|---|
| 直径 | 4＂/ 6" (100 mm/150 mm) |
||||
| 浓度均匀性 | ≤8% | ≤5% | |||
| 晶型 | 4H | ||||
| 厚度范围 | 1 ~ 40 μm | ||||
| 表面 | (0001) Silicon-face | ||||
| 厚度冗余 | ±5% | ±3% | |||
| 晶面偏角[11-20] | 4±0.5° | ||||
| 厚度均匀性 | ≤5% | ≤3% | |||
| 导电类型 | N-type | ||||
| 表面缺陷 | <1.0 cm-2 | <0.5 cm-2 | |||
| 掺杂源 | Nitrogen | ||||
| 表面粗糙度 （10 μm*10 μm） |
≤0.5 nm | ≤0.3 nm | |||
| 载流子浓度 | 1E14 ~ 1E19 cm-3 | ||||
| 可用区域 （2 mm*2 mm） |
≥95% | ≥98% | |||
| 浓度冗余 | ±10% | ±8% |
| 名称 | 功能 |
|---|---|
| 平面度测试仪 | 测试SiC面型（BoW、Warp、TTV、LTV等） |
| 表面缺陷检测仪 | 测试SiC衬底外延缺陷 |
| 红外膜厚检测仪（FTIR） | 测试SiC外延层厚度 |
| 载流子浓度测试仪（MCV） | SiC外延层载流子浓度CV mapping |
| 载流子浓度测试仪（CnCV） | SiC外延层载流子浓度CV mapping |
| 原子力显微镜 | 测试SiC表面形貌与粗糙度 |
