工艺总览

• 外延生长

  外延生长技术是目前碳化硅器件必不可少的环节。碳化硅外延晶片是指在碳化硅衬底的基础上，经过外延工艺生长出晶格一致、高纯度、低缺陷的特定单晶薄膜。目前化学气相沉积（MOCVD）是最为普及的4H-SiC 外延方法。其优势在于可以有效控制生长过程中气体源流量、反应室温度以及压力，改变成膜环境，可以精准控制外延生长参数，具有重复性良好，设备体积适中的优良特点。

  外延生长

  外延生长技术是目前碳化硅器件必不可少的环节。碳化硅外延晶片是指在碳化硅衬底的基础上，经过外延工艺生长出晶格一致、高纯度、低缺陷的特定单晶薄膜。目前化学气相沉积（MOCVD）是最为普及的4H-SiC 外延方法。其优势在于可以有效控制生长过程中气体源流量、反应室温度以及压力，改变成膜环境，可以精准控制外延生长参数，具有重复性良好，设备体积适中的优良特点。
• 光刻工艺

  光刻是半导体制造工艺中的一个重要步骤，利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。光刻胶根据性质不同，可分为正胶和负胶。一般光刻流程：HMDS处理、涂胶、曝光、显影、软烘、硬烘。

  光刻工艺

  光刻是半导体制造工艺中的一个重要步骤，利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。光刻胶根据性质不同，可分为正胶和负胶。一般光刻流程：HMDS处理、涂胶、曝光、显影、软烘、硬烘。
• 刻蚀工艺

  刻蚀工艺是通过物理、化学反应，有选择性地从晶圆表面去除不需要的材料以达到集成电路芯片制造要求的工艺过程。刻蚀工艺可分为干法刻蚀和湿法刻蚀。湿法刻蚀是使用液体刻蚀介质，通常是具有化学反应性的溶液或酸碱混合液，这些溶液与待刻蚀材料发生化学反应，从而实现刻蚀；干法刻蚀是通过使用气态化学刻蚀剂与待刻蚀的材料反应形成挥发性副产物,再将其从衬底表面去除。

  刻蚀工艺

  刻蚀工艺是通过物理、化学反应，有选择性地从晶圆表面去除不需要的材料以达到集成电路芯片制造要求的工艺过程。刻蚀工艺可分为干法刻蚀和湿法刻蚀。湿法刻蚀是使用液体刻蚀介质，通常是具有化学反应性的溶液或酸碱混合液，这些溶液与待刻蚀材料发生化学反应，从而实现刻蚀；干法刻蚀是通过使用气态化学刻蚀剂与待刻蚀的材料反应形成挥发性副产物,再将其从衬底表面去除。
• 薄膜淀积

  薄膜淀积工艺是一种重要的材料制备方法，通过物理或化学手段在基底表面上沉积形成均匀、薄而致密的薄膜结构。常见的薄膜沉积方法包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、溶液法和原子层沉积（ALD）等

  薄膜淀积

  薄膜淀积工艺是一种重要的材料制备方法，通过物理或化学手段在基底表面上沉积形成均匀、薄而致密的薄膜结构。常见的薄膜沉积方法包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、溶液法和原子层沉积（ALD）等
• 离子注入

  离子注入工艺是半导体制造的主要工艺之一，是一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，然后注入固体材料表层内而实现掺杂，以改变材料表层物理性质的工艺。

  离子注入

  离子注入工艺是半导体制造的主要工艺之一，是一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，然后注入固体材料表层内而实现掺杂，以改变材料表层物理性质的工艺。
• 背面减薄

  背面减薄是在晶圆表面电路制造完成后，对晶圆进行磨削减薄，使其达到一定厚度的工艺，对后续封装有着重要影响。

  背面减薄

  背面减薄是在晶圆表面电路制造完成后，对晶圆进行磨削减薄，使其达到一定厚度的工艺，对后续封装有着重要影响。

• 外延工艺

  外延

  MOCVD

  

• 前道工艺

  光刻

  光刻机

  

  刻蚀

  

  薄膜

  PECVD、炉管

  

  注入

  

• 后道工艺

  减薄