长飞先进

分立式SiC肖特基二极管

SiC肖特基二极管(SiC SBD)不仅具有高速性，还能耐受高压，同时具有优异的trr(反向恢复时间)特性，几乎没有温度及电流依赖性，因此可大幅降低导通及反向恢复损耗，实现高效率。长飞先进SiC肖特基二极管(SBD)系列提供650V、1200V电压等级的产品，可广泛用于工业电源、充电桩以及光伏、储能等领域。

产品特性产品优势

反向漏电流小
反向恢复损耗小
高抗浪涌能力
正向压降小

极低的开关损耗
降低散热器设计
要求
更高的功率密度
和系统效率

自研产品

分立式SiC肖特基二极管

产品信息

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